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第一，性质不同

1.雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下与其他价电子碰撞，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种由碰撞电离引起的击穿称为雪崩击穿

2.齐纳击穿：场激发产生大量载流子，使PN结反向电流大大增加，呈现反向击穿现象。

第二，特点不同

1.雪崩击穿特性：在低掺杂浓度的PN结中，空间电荷区的电场随着PN结反向电压的增加而增加。这样，空间电荷区的电子和空穴在电场的作用下获得的能量增加。

2.齐纳击穿特性：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区的最大电场。在碰撞电离机制中，不仅与场强有关，还与载流子碰撞的积累过程有关。显然，空间电荷区越宽，其倍数越大。因此，雪崩击穿不仅与电场有关，还与空间电荷区的宽度有关。它需要一个厚结。隧道效应要求结很薄。

扩展信息：

纳米击穿往往发生在高掺杂浓度的PN结中，因为此时的空间电荷层很薄，很小的反向电压就能在空间电荷区产生很强的电场(通常高达10v/cm)。

当温度升高时，电子热运动增强，通过很小的反向电压就可以将价电子拉出共价键。因此，当温度升高时，击穿电压降低，即齐纳击穿具有负温度系数。

来源：搜狗百科-雪崩击穿

来源：搜狗百科-齐纳击穿

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